2SJ200
MOSFET
P-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
180.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.2500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 350 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 180 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.25 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ200:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ200?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ200 incluyen: 2SJ201, 2SJ304, 2SJ312, 2SJ313, 2SJ315, 2SJ334, 2SJ338, 2SJ349.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ200?
El 2SJ200 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ200?
El 2SJ200 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 180.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.