2SJ201
MOSFET
P-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.2000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ201:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ201?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ201 incluyen: 2SJ200, 2SJ304, 2SJ312, 2SJ313, 2SJ315, 2SJ334, 2SJ338, 2SJ349, 2SJ377.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ201?
El 2SJ201 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ201?
El 2SJ201 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.