2SJ217
MOSFET
P-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
45.000 A
RDSon
0.0420 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 235 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 45 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.042 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ217:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ217?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ217 incluyen: 2SJ181L, 2SJ181S, 2SJ186, 2SJ216, 2SJ221, 2SJ222, 2SJ247, 2SJ248, 2SJ278, 2SJ319L, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ217?
El 2SJ217 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ217?
El 2SJ217 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 45.000 A.