2SJ226
MOSFET
P-Channel
FLP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
1.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | FLP |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ226:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ226?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ226 incluyen: 2SJ225, 2SJ227, 2SJ228, 2SJ229, 2SJ230, 2SJ231, 2SJ232, 2SJ233, 2SJ254.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ226?
El 2SJ226 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado FLP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ226?
El 2SJ226 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.