2SJ266
MOSFET
P-Channel
SMP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.2000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SMP |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ266:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ266?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ266 incluyen: 2SJ591LS, 2SJ594, 2SJ595, 2SJ596, 2SJ263, 2SJ264, 2SJ265, 2SJ267, 2SJ268, 2SJ272, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ266?
El 2SJ266 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SMP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ266?
El 2SJ266 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.