2SJ281
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
2.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ281:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ281?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ281 incluyen: 2SJ267, 2SJ268, 2SJ272, 2SJ273, 2SJ274, 2SJ275, 2SJ276, 2SJ277, 2SJ284, 2SJ285, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ281?
El 2SJ281 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ281?
El 2SJ281 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.