2SJ285
MOSFET
P-Channel
CP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.250 A
RDSon
3.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | CP |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ285:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ285?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ285 incluyen: 2SJ272, 2SJ273, 2SJ274, 2SJ275, 2SJ276, 2SJ277, 2SJ281, 2SJ284, 2SJ287, 2SJ288, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ285?
El 2SJ285 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado CP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ285?
El 2SJ285 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.250 A.