2SJ292
MOSFET
P-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0430 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 170 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.043 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ292:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ292?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ292 incluyen: 12N60, 2SJ245L, 2SJ245S, 2SJ246L, 2SJ246S, 2SJ279L, 2SJ279S, 2SJ280L, 2SJ280S, 2SJ293, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ292?
El 2SJ292 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ292?
El 2SJ292 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.