2SJ313
MOSFET
P-Channel
TO220NIS
Parametros Principales
Vds Max.
180.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
3.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220NIS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 180 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ313:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ313?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ313 incluyen: 2SJ200, 2SJ201, 2SJ304, 2SJ312, 2SJ315, 2SJ334, 2SJ338, 2SJ349, 2SJ377, 2SJ378, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ313?
El 2SJ313 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220NIS.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ313?
El 2SJ313 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 180.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.