2SJ329
MOSFET
P-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 150 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ329:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ329?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ329 incluyen: 2SJ243, 2SJ302, 2SJ303, 2SJ324, 2SJ325, 2SJ326, 2SJ327, 2SJ328, 2SJ330, 2SJ331, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ329?
El 2SJ329 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ329?
El 2SJ329 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.