2SJ337
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.0900 Ω
Vgs Max.
18.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 900 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 18 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.09 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ337:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ337?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ337 incluyen: 2SJ284, 2SJ285, 2SJ287, 2SJ288, 2SJ289, 2SJ308, 2SJ316, 2SJ320, 2SJ339, 2SJ340, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ337?
El 2SJ337 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ337?
El 2SJ337 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.