2SJ353
MOSFET
P-Channel
SP8
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
1.500 A
RDSon
0.3700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SP8 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.37 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ353:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ353?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ353 incluyen: 2SJ324, 2SJ325, 2SJ326, 2SJ327, 2SJ328, 2SJ329, 2SJ330, 2SJ331, 2SJ411, 2SJ424, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ353?
El 2SJ353 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SP8.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ353?
El 2SJ353 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.500 A.