2SJ358

MOSFET P-Channel SOT89

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 3.000 A
RDSon 0.3000 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT89
tr - Rise Time 35 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 300 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.3 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ358:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SJ358?

Los reemplazos compatibles para el 2SJ358 incluyen: 2SJ325-Z, 2SJ326-Z, 2SJ327-Z, 2SJ328-Z, 2SJ332L, 2SJ332S, 2SJ355, 2SJ357, 2SJ358C, 2SJ389L, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SJ358?

El 2SJ358 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT89.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ358?

El 2SJ358 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.

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