2SJ365
MOSFET
P-Channel
E-PACK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.4500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | E-PACK |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.45 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ365:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ365?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ365 incluyen: 2SJ244, 2SJ307, 2SJ317, 2SJ319, 2SJ361, 2SJ362, 2SJ363, 2SJ364, 2SJ368, 2SJ387, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ365?
El 2SJ365 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado E-PACK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ365?
El 2SJ365 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.