2SJ389S
MOSFET
P-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1350 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 85 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 440 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.135 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ389S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ389S?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ389S incluyen: 2SJ328-Z, 2SJ332L, 2SJ332S, 2SJ355, 2SJ357, 2SJ358, 2SJ358C, 2SJ389L, 2SJ409L, 2SJ409S, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ389S?
El 2SJ389S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ389S?
El 2SJ389S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.