2SJ407
MOSFET
P-Channel
TO220NIS
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.8000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220NIS |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 270 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ407:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ407?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ407 incluyen: 2SJ334, 2SJ338, 2SJ349, 2SJ377, 2SJ378, 2SJ380, 2SJ401, 2SJ402, 2SJ412, 2SJ438, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ407?
El 2SJ407 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220NIS.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ407?
El 2SJ407 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.