2SJ409S
MOSFET
P-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.1600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 115 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 680 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ409S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ409S?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ409S incluyen: 2SJ332S, 2SJ355, 2SJ357, 2SJ358, 2SJ358C, 2SJ389L, 2SJ389S, 2SJ409L, 2SJ461A, 2SJ475-01, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ409S?
El 2SJ409S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ409S?
El 2SJ409S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.