2SJ417
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.1200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 230 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ417:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ417?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ417 incluyen: 2SJ413, 2SJ416, 2SJ419, 2SJ418, 2SJ420, 2SJ421.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ417?
El 2SJ417 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ417?
El 2SJ417 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.