2SJ419
MOSFET
P-Channel
SOP8
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.0650 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP8 |
| tr - Rise Time | 170 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 800 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.065 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ419:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ419?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ419 incluyen: 2SJ413, 2SJ416, 2SJ417, 2SJ418, 2SJ420, 2SJ421.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ419?
El 2SJ419 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOP8.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ419?
El 2SJ419 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.