2SJ476-01S
MOSFET
P-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 700 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.5 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ476-01S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ476-01S?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ476-01S incluyen: 2SJ358C, 2SJ389L, 2SJ389S, 2SJ409L, 2SJ409S, 2SJ461A, 2SJ475-01, 2SJ476-01L, 2SJ477-01MR.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ476-01S?
El 2SJ476-01S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ476-01S?
El 2SJ476-01S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.