2SJ495
MOSFET
P-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 220 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 140 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1750 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 1 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ495:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ495?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ495 incluyen: 2SJ279S, 2SJ280L, 2SJ280S, 2SJ292, 2SJ293, 2SJ294, 2SJ295, 2SJ494, 2SJ498, 2SJ557A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ495?
El 2SJ495 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ495?
El 2SJ495 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.