2SJ50
MOSFET
P-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
160.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
1.4000 Ω
Vgs Max.
14.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 14 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 160 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ50?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ50 incluyen: 2SJ364, 2SJ365, 2SJ368, 2SJ387, 2SJ399, 2SJ451, 2SJ48, 2SJ49, 2SJ574, 2SJ576, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ50?
El 2SJ50 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ50?
El 2SJ50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 160.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.