2SJ501
MOSFET
P-Channel
CP
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.500 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | CP |
| Marking Code | EM |
| tr - Rise Time | 17 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 5 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 0.5 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ501:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ501?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ501 incluyen: 2SJ400, 2SJ466, 2SJ485, 2SJ499, 2SJ502, 2SJ503, 2SJ520, 2SJ560, 2SJ561, 2SJ562, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ501?
El 2SJ501 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado CP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ501?
El 2SJ501 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.500 A.