2SJ503
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.0850 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 15 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.085 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 1 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ503:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ503?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ503 incluyen: 2SJ400, 2SJ466, 2SJ485, 2SJ499, 2SJ501, 2SJ502, 2SJ520, 2SJ560, 2SJ561, 2SJ562, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ503?
El 2SJ503 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ503?
El 2SJ503 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.