2SJ505S
MOSFET
P-Channel
LDPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
50.000 A
RDSon
0.0220 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LDPAK |
| tr - Rise Time | 225 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.022 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ505S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ505S?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ505S incluyen: 2SJ319L, 2SJ319S, 2SJ350, 2SJ387L, 2SJ387S, 2SJ479L, 2SJ479S, 2SJ505L, 2SJ506L, 2SJ506S, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ505S?
El 2SJ505S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado LDPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ505S?
El 2SJ505S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.