2SJ512
MOSFET
P-Channel
TO220NIS
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
1.2500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220NIS |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.25 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ512:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ512?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ512 incluyen: 2SJ412, 2SJ438, 2SJ439, 2SJ440, 2SJ464, 2SJ507, 2SJ508, 2SJ509, 2SJ516, 2SJ525, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ512?
El 2SJ512 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220NIS.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ512?
El 2SJ512 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.