2SJ517
MOSFET
P-Channel
UPAK
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.2400 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | UPAK |
| tr - Rise Time | 75 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.24 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ517:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ517?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ517 incluyen: 2SJ479, 2SJ483, 2SJ484, 2SJ486, 2SJ496, 2SJ504, 2SJ505, 2SJ506, 2SJ518, 2SJ526, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ517?
El 2SJ517 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado UPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ517?
El 2SJ517 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.