2SJ529S
MOSFET
P-Channel
DPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ529S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ529S?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ529S incluyen: 2SJ505S, 2SJ506L, 2SJ506S, 2SJ527L, 2SJ527S, 2SJ528L, 2SJ528S, 2SJ529L, 2SJ530L, 2SJ530S, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ529S?
El 2SJ529S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ529S?
El 2SJ529S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.