2SJ555
MOSFET
P-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0220 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 270 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.022 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ555:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ555?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ555 incluyen: 2SJ547, 2SJ548, 2SJ549, 2SJ550, 2SJ551, 2SJ552, 2SJ553, 2SJ554, 2SK1000, 2SK1006-01MR, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ555?
El 2SJ555 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ555?
El 2SJ555 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.