2SJ579
MOSFET
P-Channel
PCP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
1.200 A
RDSon
0.8000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PCP |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 35 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ579:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ579?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ579 incluyen: 2SJ520, 2SJ560, 2SJ561, 2SJ562, 2SJ563, 2SJ569LS, 2SJ577, 2SJ578, 2SJ580, 2SJ583LS, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ579?
El 2SJ579 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ579?
El 2SJ579 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.200 A.