2SJ583LS
MOSFET
P-Channel
TO220FI
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220FI |
| tr - Rise Time | 21 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 95 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ583LS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ583LS?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ583LS incluyen: 2SJ561, 2SJ562, 2SJ563, 2SJ569LS, 2SJ577, 2SJ578, 2SJ579, 2SJ580, 2SJ584LS, 2SJ585LS, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ583LS?
El 2SJ583LS es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220FI.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ583LS?
El 2SJ583LS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.