2SJ591LS
MOSFET
P-Channel
TO220FI
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
28.000 A
RDSon
0.0350 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220FI |
| tr - Rise Time | 140 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 640 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.035 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ591LS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ591LS?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ591LS incluyen: 2SJ594, 2SJ595, 2SJ596, 2SJ263, 2SJ264, 2SJ265, 2SJ266, 2SJ267.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ591LS?
El 2SJ591LS es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220FI.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ591LS?
El 2SJ591LS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 28.000 A.