2SJ595
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.2200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 21 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 110 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.22 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ595:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ595?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ595 incluyen: 2SJ591LS, 2SJ594, 2SJ596, 2SJ263, 2SJ264, 2SJ265, 2SJ266, 2SJ267, 2SJ268, 2SJ272.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ595?
El 2SJ595 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ595?
El 2SJ595 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.