2SJ598-Z-E1
MOSFET
P-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0610 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
34.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.061 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ598-Z-E1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ598-Z-E1?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ598-Z-E1 incluyen: 20N06L-TO252, 20N3LG-TO251, 20P06-TO252, 25N06L-TN3, 25NF20, 2N0623, 2N65-TO252, 2SJ530STL.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ598-Z-E1?
El 2SJ598-Z-E1 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ598-Z-E1?
El 2SJ598-Z-E1 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.