2SJ599
MOSFET
P-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.0750 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.075 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ599:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ599?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ599 incluyen: 2N3458, 2N3459, 2N3460.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ599?
El 2SJ599 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ599?
El 2SJ599 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.