2SJ600
MOSFET
P-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
45.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 350 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ600:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ600?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ600 incluyen: 2SJ607, 2SJ607-Z, 2SJ621, 2SJ624, 2SJ625, 2SJ626, 2SJ647, 2SJ649, 2SJ601-Z, 2SJ602, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ600?
El 2SJ600 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ600?
El 2SJ600 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.