2SJ601
MOSFET
P-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
36.000 A
RDSon
0.0250 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 580 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 36 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.025 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ601:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ601?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ601 incluyen: 2SJ399, 2SJ451, 2SJ48, 2SJ49, 2SJ50, 2SJ574, 2SJ576, 2SJ590LS, 2SJ601Z, 2SJ74, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ601?
El 2SJ601 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ601?
El 2SJ601 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 36.000 A.