2SJ603-Z
MOSFET
P-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.0480 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 350 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.048 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ603-Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ603-Z?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ603-Z incluyen: 2SJ649, 2SJ600, 2SJ601-Z, 2SJ602, 2SJ602-S, 2SJ602-Z, 2SJ603, 2SJ603-S, 2SJ604, 2SJ604-S, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ603-Z?
El 2SJ603-Z es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ603-Z?
El 2SJ603-Z tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.