2SJ605-S
MOSFET
P-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
65.000 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 87 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 820 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 65 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ605-S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ605-S?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ605-S incluyen: 2SJ602-Z, 2SJ603, 2SJ603-S, 2SJ603-Z, 2SJ604, 2SJ604-S, 2SJ604-Z, 2SJ605, 2SJ605-Z, 2SJ245L, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ605-S?
El 2SJ605-S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ605-S?
El 2SJ605-S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 65.000 A.