2SJ606
MOSFET
P-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
83.000 A
RDSon
0.0150 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 120 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 83 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.015 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 1.5 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ606:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ606?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ606 incluyen: 2SJ182S, 2SJ183, 2SJ210C, 2SJ214L, 2SJ214S, 2SJ215, 2SJ220L, 2SJ220S, 2SJ606-S, 2SJ606-Z, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ606?
El 2SJ606 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ606?
El 2SJ606 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 83.000 A.