2SJ606-Z
MOSFET
P-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
83.000 A
RDSon
0.0150 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 120 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 83 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.015 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ606-Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ606-Z?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ606-Z incluyen: 2SJ210C, 2SJ214L, 2SJ214S, 2SJ215, 2SJ220L, 2SJ220S, 2SJ606, 2SJ606-S, 2SJ607, 2SJ607-Z, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ606-Z?
El 2SJ606-Z es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ606-Z?
El 2SJ606-Z tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 83.000 A.