2SJ609

MOSFET P-Channel TO126ML

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 5.000 A
RDSon 0.2950 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 10.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126ML
tr - Rise Time 15 nS
Qg - Total Gate Charge 12 nC
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 90 pF
|Id| - Maximum Drain Current 5 A
Pd - Maximum Power Dissipation 10 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.295 Ohm
|VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage 1 V

Preguntas Frecuentes

¿Que tipo de transistor es el 2SJ609?

El 2SJ609 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO126ML.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ609?

El 2SJ609 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.

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