2SJ612
MOSFET
P-Channel
PCP
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
2.500 A
RDSon
0.2450 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PCP |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 3.2 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.245 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 0.4 V |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2SJ612?
El 2SJ612 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ612?
El 2SJ612 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.500 A.