2SJ616
MOSFET
P-Channel
PCP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.0690 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PCP |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 11 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.069 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 1.2 V |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2SJ616?
El 2SJ616 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ616?
El 2SJ616 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.