2SJ618
MOSFET
P-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
180.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
130.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Marking Code | J618 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 180 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.1 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ618:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ618?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ618 incluyen: 2SJ440, 2SJ464, 2SJ507, 2SJ508, 2SJ509, 2SJ512, 2SJ516, 2SJ525, 2SJ619, 2SJ620, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ618?
El 2SJ618 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ618?
El 2SJ618 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 180.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.