2SJ620
MOSFET
P-Channel
TFP
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.0900 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TFP |
| Marking Code | J620 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 140 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.09 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ620:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ620?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ620 incluyen: 2SJ507, 2SJ508, 2SJ509, 2SJ512, 2SJ516, 2SJ525, 2SJ618, 2SJ619, 2SJ669, 2SJ676.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ620?
El 2SJ620 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TFP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ620?
El 2SJ620 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.