2SJ621
MOSFET
P-Channel
SC96
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
0.0440 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC96 |
| Marking Code | XG |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 6.2 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 170 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.044 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 0.45 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ621:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ621?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ621 incluyen: 2SJ215, 2SJ220L, 2SJ220S, 2SJ606, 2SJ606-S, 2SJ606-Z, 2SJ607, 2SJ607-Z, 2SJ624, 2SJ625, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ621?
El 2SJ621 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SC96.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ621?
El 2SJ621 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.