2SJ625
MOSFET
P-Channel
SC96
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
0.1130 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC96 |
| Marking Code | XM |
| tr - Rise Time | 190 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 2.6 nC |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 88 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.113 Ohm |
| |VGSoff| - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage | 0.45 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ625:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ625?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ625 incluyen: 2SJ220S, 2SJ606, 2SJ606-S, 2SJ606-Z, 2SJ607, 2SJ607-Z, 2SJ621, 2SJ624, 2SJ626, 2SJ647, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ625?
El 2SJ625 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SC96.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ625?
El 2SJ625 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.