2SJ646
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.0750 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.075 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ646:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ646?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ646 incluyen: 2SJ169, 2SJ170.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ646?
El 2SJ646 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ646?
El 2SJ646 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.