2SJ648
MOSFET
P-Channel
SC75 USM
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.400 A
RDSon
1.4500 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC75 USM |
| tr - Rise Time | 39 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 15 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.45 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2SJ648?
El 2SJ648 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SC75 USM.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ648?
El 2SJ648 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.400 A.